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QS-D-20t_稱重傳感器_寧波柯力

關于QS-D-20t傳感器,詳細信息請點擊：Amcells傳感器；可查找了解QS-D-20t稱重傳感器具體技術參數及相關系列產品型號等信息。Neh廣州南創電子科技有限公司

QS-D-20t稱重傳感器產品圖片：Neh廣州南創電子科技有限公司

Neh廣州南創電子科技有限公司

QS-D-20t稱重傳感器產品性能特點描述：Neh廣州南創電子科技有限公司

產品品牌：美國Amcells QS-D-20t傳感器Neh廣州南創電子科技有限公司

產品名稱：柯力 QS-D-20t 稱重傳感器Neh廣州南創電子科技有限公司

產品類型：QS-D-20t稱重傳感器Neh廣州南創電子科技有限公司

產品型號：QS-D-20tNeh廣州南創電子科技有限公司

應用場合：機改秤、材料試驗機、包裝秤Neh廣州南創電子科技有限公司

特點描述：優質合金鋼材機身，防護性能較強，體積小巧，穩定性好，抗干擾能力強,，擁有自我識別功能,便于故障診斷，適用于機改秤、材料試驗機、包裝秤Neh廣州南創電子科技有限公司

QS-D-20t 稱重傳感器的參數指標（中英文對照）Neh廣州南創電子科技有限公司

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型號規格 Model:  QS-D-20t Neh廣州南創電子科技有限公司

導軌式 Rail：IP20Neh廣州南創電子科技有限公司

量程范圍 Cap: 20t Neh廣州南創電子科技有限公司

生產日期 Date:  2005/01/14  Neh廣州南創電子科技有限公司

出廠編號 S/N:  X02274 Neh廣州南創電子科技有限公司

靈敏度 FSO:  2.9981 mV/V  Neh廣州南創電子科技有限公司

認證溫度 Certification temperature：-10°~40℃；Neh廣州南創電子科技有限公司

操作溫度 Operating temperature：-30°~60℃Neh廣州南創電子科技有限公司

防塵式防護等級 Protection class：IP69KNeh廣州南創電子科技有限公司

額定負荷下的傾斜度 Deflecion at Rated Load: NilNeh廣州南創電子科技有限公司

輸入阻抗 Input Resistance: 380±5Ω Neh廣州南創電子科技有限公司

過載能力 Overload：額定負載的1.5-3倍Neh廣州南創電子科技有限公司

允許濕度 Permissible humidity：10%~95%，不冷凝、無結露Neh廣州南創電子科技有限公司

最大顯示分度數 Maximum display of disions為100,000 （OIML,10000d NTEP）Neh廣州南創電子科技有限公司

最大檢定分度數 Maximum test sub-degree為6000e（OIML,10000d，NTEP）Neh廣州南創電子科技有限公司

輸入電壓 Input Voltage 85-264VNeh廣州南創電子科技有限公司

允許超載 Safe Overload: 150% Neh廣州南創電子科技有限公司

溫度變化1℃對零點的影響 Temp. Effect/℃ on Zero: <0.0026% Neh廣州南創電子科技有限公司

工作溫度范圍 Operating Temp.Range: -20 to 60℃  Neh廣州南創電子科技有限公司

零點平衡 Zero Balance: ±1% Neh廣州南創電子科技有限公司

最終超載 Ultimate Overload:  300% Neh廣州南創電子科技有限公司

電源 Power supply直流：18-36VAC 交流：85-264VAC，49-61HzNeh廣州南創電子科技有限公司

標準接口 Standard Interface：1個RS-232(COM1)，300 ~115,200波特率Neh廣州南創電子科技有限公司

接口輸出 Interface output：連續輸出，擴展連續輸出，Neh廣州南創電子科技有限公司

質量認證 Quality Certification： ISO9001 國際質量管理體系認證Neh廣州南創電子科技有限公司

產品認證 Product Certification：美國：NTEP Class III/IIIL-10000dNeh廣州南創電子科技有限公司

QS-D-20t稱重傳感器的電路組成Neh廣州南創電子科技有限公司

QS-D-20t傳感器進行測量時，我們需要知道的是應變片受應變力作用時的電阻值的變化。通常是采用應變片組成橋式電路，應變片引起的電阻變化轉換成電壓變化來進行測量的。Neh廣州南創電子科技有限公司

設：橋式電路的輸入激勵電壓為Ei,  ①Neh廣州南創電子科技有限公司

則電橋的輸出電壓△E0為：Neh廣州南創電子科技有限公司

R1 R2△E0=Ei×[(R1R3-R2R4)/(R1+R2)(R3+R4)]Neh廣州南創電子科技有限公司

輸入激勵電壓  ③  輸出電壓Neh廣州南創電子科技有限公司

令電橋的初始條件為Neh廣州南創電子科技有限公司

R1=R2=R3=R4，  ④Neh廣州南創電子科技有限公司

則△E0=0。Neh廣州南創電子科技有限公司

設電阻值R1的應變片受應變作用  R3 R4Neh廣州南創電子科技有限公司

后的電阻變化為R+△R，則電橋的輸 ②Neh廣州南創電子科技有限公司

出電壓△E0為：Neh廣州南創電子科技有限公司

△E0=Ei[△R/（4R+2△R）]≌（△R/4R）Ei  (R＞＞△R)Neh廣州南創電子科技有限公司

由于△R=R×K0×ε，所以Neh廣州南創電子科技有限公司

△E0=（Ei×K0×ε）/4Neh廣州南創電子科技有限公司

例如，設K0=2，ε=1000×0.000001,  Ei=1VNeh廣州南創電子科技有限公司

則:  △E0=(1×2×1000×0.000001)/4=0.5mVNeh廣州南創電子科技有限公司

式中  K0=系數（一般為2）Neh廣州南創電子科技有限公司

為了增加橋式電路的的額定輸出,QS-D-20t稱重傳感器將橋式電路設計成4枚應變片都作用受力的形式(4個工作片)。Neh廣州南創電子科技有限公司

此時 △E0=0.5mV×4=2 mVNeh廣州南創電子科技有限公司

QS-D-20t稱重傳感器產品結構安裝規格尺寸圖：Neh廣州南創電子科技有限公司

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除QS-D-20t傳感器之外的其它托利多傳感器相關產品及型號：Neh廣州南創電子科技有限公司

QS-50t,QS-50t稱重傳感器QS-50t【美國mkcells★一級銷售商】Neh廣州南創電子科技有限公司